台美日DRAM厂连手 抗韩策略发酵

http://mb14.cn/2020-05-22 19:15:18
【导读】两大韩系内存厂三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)纷传出将大幅调高2010年资本支出,继三星预计投入30亿美元扩产及制程微缩后,海力士2010年资本支出亦将倍增至20亿美元,使得尔必达(Elpida)和美光(Micron)加紧脚步与台系DRAM厂合作

两大韩系内存厂三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)纷传出将大幅调高2010年资本支出,继三星预计投入30亿美元扩产及制程微缩后,海力士2010年资本支出亦将倍增至20亿美元,使得尔必达(Elpida)和美光(Micron)加紧脚步与台系DRAM厂合作,尽管过去喊出的台美日厂连手抗韩策略,在DRAM整合戏码停摆后没再被提起,但DRAM厂指出,实际上全球4大DRAM阵营板块运动,仍按照台美日厂连手抗韩局势发展。

随着三星和海力士都扩增2010年资本支出,隐约释出对2010年DRAM和NAND Flash产业乐观看法,以2010年三星30亿美元资本支出为例,虽然还未回到2007、2008年逾40亿美元资本支出水平,但已较2009年大幅成长;目前三星单月12吋晶圆DRAM芯片产出超过30万片。

海力士2010年资本支出约20亿美元,与2009年相比成长超过1倍,其中,13亿美元花在DRAM芯片,7亿美元花在NAND Flash芯片。海力士2009年与台厂茂德缘分告终,但并未影响DRAM扩产进度,目前海力士单月12吋晶圆DRAM芯片产出超过20万片,2010年将致力往40纳米制程发展。

2008年底DRAM产业整合定调为台美日厂联盟,连手对抗韩厂,在这样氛围下使得海力士退出台DRAM产业,茂德转向与日系阵营合作,台DRAM产业整合虽破局,但台美、台日阵营联盟抗韩效应,却仍发酵中。

内存业者认为,面对韩系大军调高资本支出,尔必达2009年资本支出为5亿美元,2010年暂订6亿美元,表面上增加支出金额相当小,但实际上大部分支出都转嫁至台厂,包括力晶、瑞晶、茂德、华邦电等,尤其是子公司瑞晶2010年资本支出高达4亿美元,会是台日联盟主要基地。

在台美阵营方面,美光虽然没有获得台湾当局金援,但自身募资成功,加上合作伙伴南亚科和子公司华亚科2009年连番募资成功,2010年大量转进50奈米制程,亦将成功稳固台美阵营实力。

整体来看,原本全球DRAM产业有5大阵营,2009年奇梦达(Qimonda)遭洗牌出局后,海力士亦被洗出台湾市场,未来全球4大阵营也1分为2,由台美日厂对抗韩厂,其中,日厂尔必达和美系美光在全球DRAM产业三哥宝座竞争激烈,台厂产能将牵动未来全球DRAM市占版图。